Selecteer uw taal


Hoofdstuk 6. Bipolaire Transistoren

Inleiding

Bipolare transistoren zijn onderdelen waarmee we signalen kunnen versterken. Tevens kunnen ze gebruikt worden als schakelaar. Er zijn twee typen: NPN en PNP. Onderstaande afbeelding toont een voorbeeld.

Een bipolaire transistor heeft drie aansluitingen: Basis, Collector and Emitter. In geval van een NPN-transistor, veroorzaakt een lage stroom van B naar E (IB) een grote stroom van C naar E (IC). De verhouding IC/IB wordt de stroomversterking genoemd, symbool hFE.

Binnenin de transistor bevindt zich een diode tussen B en E en tussen B en C, dus UBE,max en UBC,max zijn ongeveer 0.6V tot 0.7V.

Laten we veronderstellen dat RB = 1M, RL = 1k, US = 9V, hFE = 300 en UBE = 0.6V.

De spanning over RB is US-UBE=8.4V, dus IB=8.4/1M=8.4μA. IC=IB∙hFE=8.4μA∙300=2.52mA. De spanning over RL zal dus 2.52V zijn.

https://s2pbio.fkip.uns.ac.id/stats/demoslot/ https://s2pbio.fkip.uns.ac.id/wp-content/plugins/sbo/ https://ijwem.ulm.ac.id/pages/demo/ situs slot gacor https://bppkad.mamberamorayakab.go.id/wp-content/modemo/ http://mesin-dev.ft.unesa.ac.id/mesin/demo-slot/ http://gsgs.lingkungan.ft.unand.ac.id/includes/demo/ https://kemahasiswaan.unand.ac.id/plugins/actionlog/ https://bappelitbangda.bangkatengahkab.go.id/storage/images/x-demo/
https://jackpot-1131.com/ https://mainjp1131.com/ https://triwarno-banyuurip.purworejokab.go.id/template-surat/kk/kaka-sbobet/